Définition de MRAM

TYPE de mémoire développé conjointement par IBM et Infineon. Cette mémoire n'utilise pas de charge électrique pour stocker les BITS contrairement à la Dynamic Random Access Memory. (DRAM), mais uNE charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon eux, elle aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu. Bien entendu la lecture et l'écriture NE se feront pas comme sur un Disque dur via un ensemble de bras portant des têtes de lecture / écriture. Les données sont stockées entre deux couches ferro-magnétiques. Les BITS sont codés en orientant les éléments magnétiques, soit dans le sens parallèle ou non-parallèle ce qui crée uNE différence de potentiel entre les deux couches. Le courant passant en suite dans l'élément qui lit ces BITS, à la manière d'uNE tête magnéto résistive de Disque dur. L'écriture se fait en orientant ces éléments magnétiques au moyen d'un Champ magnétique crée entre les deux couches via un lien entre ces deux dernières. Les premiers produits MRAM NE devraient voir le jour qu'aux environs de 2004 dans le meilleur des CAS.